APT70SM70B

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Especificaciones

Número de pieza

APT70SM70B
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

POWER MOSFET - SIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

APT70SM70B.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

+25V, -10V
Tecnología

SiCFET (Silicon Carbide)
Paquete del dispositivo

TO-247 [B]
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

70 mOhm @ 32.5A, 20V
La disipación de energía (máximo)

300W (Tc)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

125nC @ 20V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

20V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

700V
Descripción detallada

N-Channel 700V 65A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

65A (Tc)

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APT68GA60B2D40

Descripción: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Fabricantes: Microsemi

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