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APT50M75JLLU3

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Especificaciones

Número de pieza

APT50M75JLLU3
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.APT50M75JLLU3.pdf
2.APT50M75JLLU3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-227
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

75 mOhm @ 25.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

290W (Tc)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5590pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

123nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

500V
Descripción detallada

N-Channel 500V 51A (Tc) 290W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

51A (Tc)

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Fabricantes: Knowles Syfer

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SIT1602BC-33-25S-35.840000T

Descripción: -20 TO 70C, 5032, 50PPM, 2.5V, 3

Fabricantes: SiTime

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20/05/2025

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