APT34N80B2C3G

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Especificaciones

Número de pieza

APT34N80B2C3G
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.APT34N80B2C3G.pdf
2.APT34N80B2C3G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.9V @ 2mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

T-MAX™ [B2]
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

145 mOhm @ 22A, 10V
La disipación de energía (máximo)

417W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3 Variant
Otros nombres

APT34N80B2C3GMI
APT34N80B2C3GMI-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4510pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

355nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

800V
Descripción detallada

N-Channel 800V 34A (Tc) 417W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

34A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "APT34N80B2C3G".

SIT8918AA-13-33E-10.000000E

Descripción: OSC MEMS 10.0000MHZ LVCMOS SMD

Fabricantes: SiTime

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Stal***e

20/05/2025

5.0

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