APT30N60KC6

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Especificaciones

Número de pieza

APT30N60KC6
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 30A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 960µA
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220 [K]
Serie

CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

125 mOhm @ 14.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

219W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2267pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

88nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

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APT30M40JVR

Descripción: MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227

Fabricantes: Microsemi

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