APT30F50B

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Especificaciones

Número de pieza

APT30F50B
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.APT30F50B.pdf
2.APT30F50B.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247 [B]
Serie

POWER MOS 8™
RDS (Max) @Id, Vgs

190 mOhm @ 14A, 10V
La disipación de energía (máximo)

415W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Otros nombres

APT30F50BMP
APT30F50BMP-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4525pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

115nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

500V
Descripción detallada

N-Channel 500V 30A (Tc) 415W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

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Apoyamos múltiples métodos de pago, incluidas tarjetas de crédito, transferencias bancarias y otras opciones, y aceptamos la mayoría de las monedas.Para los pedidos realizados en USD, hay opciones de pago adicionales disponibles.Para obtener más detalles sobre métodos y procedimientos de pago, comuníquese con nuestro equipo de ventas.

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APT30GF60JU3

Descripción: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Fabricantes: Microsemi

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