APT25M100J

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Especificaciones

Número de pieza

APT25M100J
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.APT25M100J.pdf
2.APT25M100J.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

ISOTOP®
Serie

POWER MOS 8™
RDS (Max) @Id, Vgs

330 mOhm @ 18A, 10V
La disipación de energía (máximo)

545W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

17 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9835pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

305nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1000V
Descripción detallada

N-Channel 1000V 25A (Tc) 545W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Tc)

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APT25GR120SD15

Descripción: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Fabricantes: Microsemi

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