APT11N80KC3G

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Especificaciones

Número de pieza

APT11N80KC3G
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 800V 11A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

APT11N80KC3G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.9V @ 680µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220 [K]
Serie

CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

450 mOhm @ 7.1A, 10V
La disipación de energía (máximo)

156W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

APT11N80KC3GMI
APT11N80KC3GMI-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1585pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

60nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

800V
Descripción detallada

N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

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APT11N80BC3G

Descripción: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Fabricantes: Microsemi

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