APT10035B2FLLG

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Especificaciones

Número de pieza

APT10035B2FLLG
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

APT10035B2FLLG.pdf
Modelo ECAD
Voltaje - Prueba

5185pF @ 25V
Tensión - Desglose

T-MAX™ [B2]
VGS (th) (Max) @Id

370 mOhm @ 14A, 10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

POWER MOS 7®
Estado RoHS

Tube
RDS (Max) @Id, Vgs

28A (Tc)
Polarización

TO-247-3 Variant
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante

APT10035B2FLLG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

186nC @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

5V @ 2.5mA
Característica de FET

N-Channel
Descripción ampliada

N-Channel 1000V (1kV) 28A (Tc) 690W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción

MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1000V (1kV)
relación de capacidades

690W (Tc)

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APT1003RKLLG

Descripción: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220

Fabricantes: Microsemi

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