APL502B2G

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Especificaciones

Número de pieza

APL502B2G
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.APL502B2G.pdf
2.APL502B2G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

T-MAX™ [B2]
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

90 mOhm @ 29A, 12V
La disipación de energía (máximo)

730W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3 Variant
Otros nombres

APL502B2GMI
APL502B2GMI-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9000pF @ 25V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

15V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

500V
Descripción detallada

N-Channel 500V 58A (Tc) 730W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

58A (Tc)

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APL602LG

Descripción: MOSFET N-CH 600V 49A TO-264

Fabricantes: Microsemi

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