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MT44K64M18RB-107E:A TR

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Especificaciones

Número de pieza

MT44K64M18RB-107E:A TR
Fabricante / Marca

Micron Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MT44K64M18RB-107E:A TR.pdf
Modelo ECAD
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

1.28 V ~ 1.42 V
Tecnología

DRAM
Paquete del dispositivo

168-BGA
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

168-TBGA
Otros nombres

MT44K64M18RB-107E:A TR-ND
MT44K64M18RB-107E:ATR
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

1.125Gb (64Mb x 18)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

DRAM Memory IC 1.125Gb (64Mb x 18) Parallel 933MHz 8ns 168-BGA
Frecuencia de reloj

933MHz
Tiempo de acceso

8ns

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