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5264200Imagen 1N4006-TPMicro Commercial Components (MCC)

1N4006-TP

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Especificaciones
  • Número de pieza
    1N4006-TP
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Modelo ECAD
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.1V @ 1A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    800V
  • Paquete del dispositivo
    DO-41
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    2µs
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Otros nombres
    1N4006-TPMSCT
    1N4006TP
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 800V 1A Through Hole DO-41
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 800V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    -
  • Número de pieza base
    1N4006
MBR60080CTR

MBR60080CTR

Descripción: DIODE MODULE 80V 300A 2TOWER

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
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