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VP2206N2

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Especificaciones

Número de pieza

VP2206N2
Fabricante / Marca

Micrel / Microchip Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 60V 750MA 3TO-39
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

VP2206N2.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 10mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-39
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

900 mOhm @ 3.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

360mW (Tc)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

5 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 25V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

P-Channel 60V 750mA (Tj) 360mW (Tc) Through Hole TO-39
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

750mA (Tj)

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