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1850118Imagen TP5322K1-GMicrel / Microchip Technology

TP5322K1-G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    TP5322K1-G
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-236AB (SOT23)
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    12 Ohm @ 200mA, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    360mW (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Otros nombres
    TP5322K1-G-ND
    TP5322K1-GTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    6 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    110pF @ 25V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    220V
  • Descripción detallada
    P-Channel 220V 120mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    120mA (Tj)
1808Y0630472MDR

1808Y0630472MDR

Descripción: CAP CER 4700PF 63V X7R 1808

Fabricantes: Knowles Syfer
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