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4911817Imagen TN2510N8-GMicrel / Microchip Technology

TN2510N8-G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    TN2510N8-G
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 100V 730MA SOT89-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    2V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-243AA (SOT-89)
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    1.5 Ohm @ 750mA, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    1.6W (Ta)
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    TO-243AA
  • Otros nombres
    TN2510N8-GDKR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    5 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    125pF @ 25V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    3V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    100V
  • Descripción detallada
    N-Channel 100V 730mA (Tj) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-243AA (SOT-89)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    730mA (Tj)
54201-G0802LF

54201-G0802LF

Descripción: HEADER BERGSTIK STR

Fabricantes: Amphenol FCI
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