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DN3765K4-G

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Especificaciones

Número de pieza

DN3765K4-G
Fabricante / Marca

Micrel / Microchip Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 650V 300MA 3DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DN3765K4-G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-252-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

8 Ohm @ 150mA, 0V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

DN3765K4-G-ND
DN3765K4-GTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

14 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

825pF @ 25V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Depletion Mode
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

0V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 300mA (Tj) 2.5W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

300mA (Tj)

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SIR872DP-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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