DN2535N5-G

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Especificaciones

Número de pieza

DN2535N5-G
Fabricante / Marca

Micrel / Microchip Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 350V 500MA TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DN2535N5-G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

25 Ohm @ 120mA, 0V
La disipación de energía (máximo)

15W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

5 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 25V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Depletion Mode
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

0V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

350V
Descripción detallada

N-Channel 350V 500mA (Tj) 15W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

500mA (Tj)

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Descripción:

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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