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3594824Imagen DS1345ABP-70INDMaxim Integrated

DS1345ABP-70IND

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Especificaciones
  • Número de pieza
    DS1345ABP-70IND
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
  • Modelo ECAD
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    70ns
  • Suministro de voltaje
    4.75 V ~ 5.25 V
  • Tecnología
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Paquete del dispositivo
    34-PowerCap Module
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    34-PowerCap™ Module
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    1Mb (128K x 8)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    NVSRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descripción detallada
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 70ns 34-PowerCap Module
  • Número de pieza base
    DS1345AB
  • Tiempo de acceso
    70ns
MBRH240100R

MBRH240100R

Descripción: DIODE SCHOTTKY 100V 240A D67

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
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