DS1265AB-100+

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Especificaciones

Número de pieza

DS1265AB-100+
Fabricante / Marca

Analog Devices / Maxim Integrated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DS1265AB-100+.pdf
Modelo ECAD
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

100ns
Suministro de voltaje

4.75 V ~ 5.25 V
Tecnología

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Paquete del dispositivo

36-EDIP
Serie

-
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tipo de memoria

Non-Volatile
Tamaño de la memoria

8Mb (1M x 8)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

NVSRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 8Mb (1M x 8) Parallel 100ns 36-EDIP
Número de pieza base

DS1265AB
Tiempo de acceso

100ns

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Los siguientes son productos relacionados con "DS1265AB-100+".

DS125MB203SQE/NOPB

Descripción: IC MULTIPLEXER PCIE 4CH 54WQFN

Fabricantes: Luminary Micro / Texas Instruments

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