DS1250AB-100IND

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Especificaciones

Número de pieza

DS1250AB-100IND
Fabricante / Marca

Analog Devices / Maxim Integrated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

DS1250AB-100IND.pdf
Modelo ECAD
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

100ns
Suministro de voltaje

4.75 V ~ 5.25 V
Tecnología

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Paquete del dispositivo

32-EDIP
Serie

-
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tipo de memoria

Non-Volatile
Tamaño de la memoria

4Mb (512K x 8)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

NVSRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Descripción detallada

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 100ns 32-EDIP
Número de pieza base

DS1250AB
Tiempo de acceso

100ns

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DS1250AB-100

Descripción: IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

Fabricantes: Maxim Integrated

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