CSD16411Q3

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Especificaciones

Número de pieza

CSD16411Q3
Fabricante / Marca

Luminary Micro/Texas Instruments
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

CSD16411Q3.pdf
Modelo ECAD
Voltaje - Prueba

570pF @ 12.5V
Tensión - Desglose

8-VSON (3.3x3.3)
VGS (th) (Max) @Id

10 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (Max)

4.5V, 10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

NexFET™
Estado RoHS

Cut Tape (CT)
RDS (Max) @Id, Vgs

14A (Ta), 56A (Tc)
Polarización

8-PowerVDFN
Otros nombres

296-24255-1
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

12 Weeks
Número de pieza del fabricante

CSD16411Q3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3.8nC @ 4.5V
Tipo de IGBT

+16V, -12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2.3V @ 250µA
Característica de FET

N-Channel
Descripción ampliada

N-Channel 25V 14A (Ta), 56A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción

MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

25V
relación de capacidades

2.7W (Ta)

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CSD16412Q5A

Descripción:

Fabricantes: Luminary Micro / Texas Instruments

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