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BQ4013YMA-85N

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BQ4013YMA-85N
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Modelo ECAD
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    85ns
  • Suministro de voltaje
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Tecnología
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Paquete del dispositivo
    32-DIP Module (18.42x42.8)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    1Mb (128K x 8)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    NVSRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 85ns 32-DIP Module (18.42x42.8)
  • Número de pieza base
    BQ4013
  • Tiempo de acceso
    85ns
RMCF2512FT1R18

RMCF2512FT1R18

Descripción: RES 1.18 OHM 1% 1W 2512

Fabricantes: Stackpole Electronics, Inc.
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