UT6J3TCR

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Especificaciones

Número de pieza

UT6J3TCR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

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Descripción

-20V PCH+PCH POWER MOSFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 1mA
Paquete del dispositivo

HUML2020L8
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

85 mOhm @ 3A, 4.5V
Potencia - Max

2W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-PowerUDFN
Otros nombres

UT6J3TCRTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

8.5nC @ 4.5V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica de FET

-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3A 2W Surface Mount HUML2020L8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3A

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Los siguientes son productos relacionados con "UT6J3TCR".

DMS3017SSD-13

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 8A/6A 8SO

Fabricantes: Diodes Incorporated

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