TT8M3TR

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Especificaciones

Número de pieza

TT8M3TR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.TT8M3TR.pdf
2.TT8M3TR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 1mA
Paquete del dispositivo

8-TSST
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

72 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Potencia - Max

1W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SMD, Flat Lead
Otros nombres

TT8M3TRTR
TT8M3TRTR-ND
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

260pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

3.6nC @ 4.5V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Logic Level Gate, 1.5V Drive
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.5A, 2.4A 1W Surface Mount 8-TSST
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A, 2.4A

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TT8K2TR

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A TSST8

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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