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RTQ040P02TR

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Especificaciones

Número de pieza

RTQ040P02TR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 4A TSMT6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RTQ040P02TR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 1mA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TSMT6 (SC-95)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

50 mOhm @ 4A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.25W (Ta)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres

RTQ040P02DKR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

12.2nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 4A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Ta)

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FDT1600N10ALZ

Descripción:

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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