RRF015P03TL

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Especificaciones

Número de pieza

RRF015P03TL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RRF015P03TL.pdf
2.RRF015P03TL.pdf
3.RRF015P03TL.pdf
4.RRF015P03TL.pdf
5.RRF015P03TL.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TUMT3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

160 mOhm @ 1.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

320mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

3-SMD, Flat Leads
Otros nombres

RRF015P03TL-ND
RRF015P03TLTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

6.4nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 1.5A (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount TUMT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.5A (Ta)

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IRF9540NSTRRPBF

Descripción:

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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