RF4C050APTR

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Especificaciones

Número de pieza

RF4C050APTR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 10A 8HUML
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RF4C050APTR.pdf
2.RF4C050APTR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

-8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

HUML2020L8
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

26 mOhm @ 5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

2W (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-PowerUDFN
Otros nombres

RF4C050APCT
RF4C050APTRCT
RF4C050APTRCT-ND
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5500pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

55nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta)

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