RF081LAM2STR

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Especificaciones

Número de pieza

RF081LAM2STR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 200V 1.1A PMDTM
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RF081LAM2STR.pdf
2.RF081LAM2STR.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

980mV @ 1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

200V
Paquete del dispositivo

PMDTM
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

25ns
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOD-128
Temperatura de funcionamiento - Junction

150°C (Max)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 200V 1.1A Surface Mount PMDTM
Corriente - Fuga inversa a Vr

10µA @ 200V
Corriente - rectificada media (Io)

1.1A
Capacitancia Vr, F

-

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Descripción: DIODE GEN PURP 200V 700MA PMDU

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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