RAL025P01TCR

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Especificaciones

Número de pieza

RAL025P01TCR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RAL025P01TCR.pdf
2.RAL025P01TCR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

-8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TUMT6
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

62 mOhm @ 2.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

320mW (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

6-SMD, Flat Leads
Otros nombres

RAL025P01TCRCT
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

16nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

P-Channel 12V 2.5A (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount TUMT6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A (Ta)

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IRF7807VD1

Descripción: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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