R6002END3TL1

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Especificaciones

Número de pieza

R6002END3TL1
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

NCH 600V 2A POWER MOSFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

R6002END3TL1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-252
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

3.4 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

26W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

R6002END3TL1DKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

65pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

6.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 1.7A (Tc) 26W (Tc) Surface Mount TO-252
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.7A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "R6002END3TL1".

R6002ENDTL

Descripción: MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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