QH8KA1TCR

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Especificaciones

Número de pieza

QH8KA1TCR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

30V NCH+NCH POWER MOSFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.QH8KA1TCR.pdf
2.QH8KA1TCR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 1mA
Paquete del dispositivo

TSMT8
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

73 mOhm @ 4.5A, 10V
Potencia - Max

2.4W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SMD, Flat Lead
Otros nombres

QH8KA1TCRTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

125pf @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

3nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.5A 2.4W Surface Mount TSMT8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

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IRF8915TR

Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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