Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Conductores de la PMIC-puerta > HIP6601BECB
Petición de oferta en línea
español
5036556Imagen HIP6601BECBIntersil

HIP6601BECB

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com
Consulta en línea
Especificaciones
  • Número de pieza
    HIP6601BECB
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
  • Modelo ECAD
  • Suministro de voltaje
    10.8 V ~ 13.2 V
  • Paquete del dispositivo
    8-SOIC-EP
  • Serie
    -
  • Tiempo de subida / bajada (típico)
    20ns, 20ns
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 125°C (TJ)
  • estilo de la llave
    2
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    2 (1 Year)
  • Tensión lógica - VIL, VIH
    -
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo de entrada
    Non-Inverting
  • High Voltage - Máx (Bootstrap)
    15V
  • Tipo de Puerta
    N-Channel MOSFET
  • Configuración impulsada
    Half-Bridge
  • Descripción detallada
    Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP
  • Corriente - Pico de salida (fuente, fregadero)
    -
  • Corriente de carga
    Synchronous
  • Número de pieza base
    HIP6601B
534AB000511DGR

534AB000511DGR

Descripción: QUAD FREQUENCY XO, OE PIN 2

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Existencias disponibles

Review (1)

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir