International Rectifier (Infineon Technologies)

SPP80N06S2L-07

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Especificaciones

Número de pieza

SPP80N06S2L-07
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

SPP80N06S2L-07.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 150µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO220-3-1
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

7 mOhm @ 60A, 10V
La disipación de energía (máximo)

210W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

SP000012823
SPP80N06S2L07
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4210pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

130nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

55V
Descripción detallada

N-Channel 55V 80A (Tc) 210W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 55V 80A TO-220

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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