International Rectifier (Infineon Technologies)

SPP11N60CFDXKSA1

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Especificaciones

Número de pieza

SPP11N60CFDXKSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SPP11N60CFDXKSA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 500µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO220-3-1
Serie

CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

440 mOhm @ 7A, 10V
La disipación de energía (máximo)

125W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

SP000681042
SPP11N60CFD
SPP11N60CFD-ND
SPP11N60CFDIN
SPP11N60CFDIN-ND
SPP11N60CFDX
SPP11N60CFDXK
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

64nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

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SPP115601

Descripción: SWITCHING PS 15VDC 60W

Fabricantes: Carlo Gavazzi

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