International Rectifier (Infineon Technologies)

SPP08P06PHXKSA1

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Especificaciones

Número de pieza

SPP08P06PHXKSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SPP08P06PHXKSA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO-220-3
Serie

SIPMOS®
RDS (Max) @Id, Vgs

300 mOhm @ 6.2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

42W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

SP000446908
SPP08P06P G
SPP08P06P G-ND
SPP08P06P H
SPP08P06P H-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

15nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

P-Channel 60V 8.8A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8.8A (Tc)

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SPP100N08S2-07

Descripción: MOSFET N-CH 75V 100A TO-220

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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