International Rectifier (Infineon Technologies)

SPP02N60S5HKSA1

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Especificaciones

Número de pieza

SPP02N60S5HKSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SPP02N60S5HKSA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5.5V @ 80µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO220-3-1
Serie

CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

3 Ohm @ 1.1A, 10V
La disipación de energía (máximo)

25W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

SP000012390
SP000681016
SPP02N60S5
SPP02N60S5-ND
SPP02N60S5IN
SPP02N60S5IN-ND
SPP02N60S5X
SPP02N60S5XK
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

240pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

9.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.8A (Tc)

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SPP-7M800

Descripción: FUSE LINK 800A 700V STUD

Fabricantes: Bussmann (Eaton)

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