International Rectifier (Infineon Technologies)

SPD04N50C3ATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

SPD04N50C3ATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SPD04N50C3ATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.9V @ 200µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO252-3-1
Serie

CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

950 mOhm @ 2.8A, 10V
La disipación de energía (máximo)

50W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

SPD04N50C3ATMA1CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

470pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

22nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

500V
Descripción detallada

N-Channel 500V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-1
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK

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