International Rectifier (Infineon Technologies)

SPB35N10 G

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Especificaciones

Número de pieza

SPB35N10 G
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SPB35N10 G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 83µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO263-3-2
Serie

SIPMOS®
RDS (Max) @Id, Vgs

44 mOhm @ 26.4A, 10V
La disipación de energía (máximo)

150W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

SP000102172
SPB35N10 G-ND
SPB35N10G
SPB35N10GXT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1570pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

65nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 35A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

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SPB21N10

Descripción: MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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