SIDC09D60E6YX1SA1

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Especificaciones

Número de pieza

SIDC09D60E6YX1SA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

SIDC09D60E6YX1SA1.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.7V @ 20A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

600V
Paquete del dispositivo

Sawn on foil
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

150ns
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

Die
Otros nombres

SIDC09D60E6Y
SIDC09D60E6Y-ND
SP000012548
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 600V 20A (DC) Surface Mount Sawn on foil
Corriente - Fuga inversa a Vr

27µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io)

20A (DC)
Capacitancia Vr, F

-
Número de pieza base

SIDC09D60

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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