International Rectifier (Infineon Technologies)

IRLS4030TRL7PP

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Especificaciones

Número de pieza

IRLS4030TRL7PP
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRLS4030TRL7PP.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D2PAK (7-Lead)
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

3.9 mOhm @ 110A, 10V
La disipación de energía (máximo)

370W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Otros nombres

IRLS4030TRL7PPCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

11490pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

140nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 190A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

190A (Tc)

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IRLS4030-7PPBF

Descripción: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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