IRLL024NPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRLL024NPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRLL024NPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-223
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

65 mOhm @ 3.1A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1W (Ta)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres

SP001550452
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

510pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

15.6nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

55V
Descripción detallada

N-Channel 55V 3.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.1A (Ta)

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Descripción: MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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