International Rectifier (Infineon Technologies)

IRLHS2242TR2PBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRLHS2242TR2PBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRLHS2242TR2PBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.1V @ 10µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-PQFN (2x2)
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

31 mOhm @ 8.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

2.1W (Ta), 9.6W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

6-PowerVDFN
Otros nombres

IRLHS2242TR2PBFDKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

877pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

12nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 7.2A (Ta), 15A (Tc) 2.1W (Ta), 9.6W (Tc) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7.2A (Ta), 15A (Tc)

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IRLHS6242TR2PBF

Descripción: MOSFET N-CH 20V 10A PQFN

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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