International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFU4620PBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFU4620PBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 200V 24A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFU4620PBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

IPAK (TO-251)
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

78 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo)

144W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres

SP001573610
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1710pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

38nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 24A (Tc) 144W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

24A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "IRFU4620PBF".

IRFU4105ZTRL

Descripción: MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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