International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFU13N20DPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFU13N20DPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 200V 13A I-PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFU13N20DPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

IPAK (TO-251)
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

235 mOhm @ 8A, 10V
La disipación de energía (máximo)

110W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres

*IRFU13N20DPBF
SP001573640
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

830pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

38nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

13A (Tc)

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IRFU214BTU_FP001

Descripción: MOSFET N-CH 250V 2.2A IPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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