International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFS4229TRLPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFS4229TRLPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFS4229TRLPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D²PAK (TO-263AB)
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

48 mOhm @ 26A, 10V
La disipación de energía (máximo)

330W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

IRFS4229TRLPBF-ND
IRFS4229TRLPBFTR
SP001557392
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4560pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

110nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

250V
Descripción detallada

N-Channel 250V 45A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

45A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK

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