IRFS3607PBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFS3607PBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFS3607PBF.pdf
Modelo ECAD
Voltaje - Prueba

3070pF @ 50V
Tensión - Desglose

D2PAK
VGS (th) (Max) @Id

9 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (Max)

10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

HEXFET®
Estado RoHS

Tube
RDS (Max) @Id, Vgs

80A (Tc)
Polarización

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

SP001557342
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante

IRFS3607PBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

84nC @ 10V
Tipo de IGBT

±20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4V @ 100µA
Característica de FET

N-Channel
Descripción ampliada

N-Channel 75V 80A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción

MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

75V
relación de capacidades

140W (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "IRFS3607PBF".

IRFS3307TRLPBF

Descripción: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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