International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFIZ48VPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFIZ48VPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 39A TO220FP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFIZ48VPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB Full-Pak
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

12 mOhm @ 43A, 10V
La disipación de energía (máximo)

43W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Otros nombres

*IRFIZ48VPBF
SP001556666
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1985pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

110nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 39A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

39A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "IRFIZ48VPBF".

IRFIZ46G

Descripción: MOSFET N-CH 50V TO-220FP

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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