International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFHM8334TRPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFHM8334TRPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFHM8334TRPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.35V @ 25µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

9 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.7W (Ta), 28W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

IRFHM8334TRPBFDKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1180pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

15nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 13A (Ta) 2.7W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

13A (Ta)

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IRFHM9391TRPBF

Descripción: MOSFET P-CH 30V 11A 8PQFN

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IRFHM8334TRPBF

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