IRFB7530PBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFB7530PBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFB7530PBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.7V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

HEXFET®, StrongIRFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

2 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo)

375W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

SP001575524
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

13703pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

411nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

195A (Tc)

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IRFB7730PBF

Descripción:

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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