International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFB38N20DPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFB38N20DPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFB38N20DPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

54 mOhm @ 26A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.8W (Ta), 300W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

*IRFB38N20DPBF
SP001556010
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

91nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 43A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

43A (Tc)

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IRFB3307ZPBF

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