1998862

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFB23N15DPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFB23N15DPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 150V 23A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFB23N15DPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

90 mOhm @ 14A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.8W (Ta), 136W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

*IRFB23N15DPBF
SP001566508
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

56nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

150V
Descripción detallada

N-Channel 150V 23A (Tc) 3.8W (Ta), 136W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

23A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "IRFB23N15DPBF".

IRFB17N50L

Descripción: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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